Toshiba представила новые аккумуляторы для электрических автобусов
Корпорация Toshiba в сотрудничестве с японским брендом Sojitz и ведущим мировым производителем ниобия, фирмой CBMM, представила в Бразилии электрический автобус-прототип с установленным аккумулятором Toshiba SCiB нового поколения.
По словам экспертов, новые элементы SCiB Nb, анод которых оснащен оксидом ниобия и титана (NTO), смогут в дальнейшем обеспечить плотность энергии выше, чем существующие элементы SCiB с анодом из оксида лития и титана (LTO).
Основными преимуществами аккумуляторов Toshiba SCiB являются возможность сверхбыстрой зарядки, чрезвычайная долговечность. Так же было заявлено о неприхотливости аккумулятора к разным температурам. Из минусов стоит отметить, что плотность энергии у данных аккумуляторов была не более 200 Втч/л, что значительно ниже, чем у большинства электромобилей.
Обновленные элементы SCiB Nb оставили сильные стороны старых версий. Одновременно увеличилась плотность энергии примерно на 50% до 350 Втч/л. Разумеется этого показателя все еще недостаточно, чтобы конкурировать с литий-ионными батареями с высокой плотностью энергии. Однако, по словам экспертов, это станет большим шагом для развития электоавтобусов, в которых чаще используются именно аккумуляторы SCiB.
В прошлом компания Toshiba тестировала свои разработки в таких электрокарах как Mitsubishi i-MIEV и Honda Fit EV. Тем не менее, автобусы и промышленный транспорт кажутся лучшим местом применения. В первую очередь это связывают с тем, что элементы способны работать при температуре от -30 до +60℃, а также способны выдержать 10 000 циклов зарядки. Кроме того, аккумулятор способен зарядиться до 80% всего за 10 минут.
По словам экспертов, именно это стало причиной тестирования аккумуляторов в прототипе автобуса, который был разработан Volkswagen Truck & Bus в Бразилии. Автомобиль продемонстрировали на одном из заводов компании CBMM в Бразилии.
Вывод на рынок аккумуляторов SCiB Nb ожидается в первой половине 2025 года. Пока что трудно сделать выводы, насколько хорошим может стать это новое семейство элементов. По словам Toshiba, в теории, новая обработка анода должна обеспечить емкость примерно в три раза больше, чем LTO старого поколения.